產(chǎn)品名稱：臺灣松木P溝道 30V(D-S)MOSFET
產(chǎn)品型號：ME2307/ME2307-G
代理品牌：臺灣松木
產(chǎn)品封裝：SOT-23
交期時間：現(xiàn)貨一般當天交貨，具體需電話詳情.
發(fā)貨貨倉：深圳/香港
熱門標簽：P溝道ME2307-G，松木MEME2307，松木mos
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臺灣松木P溝道ME2307/ME2307-G mos管
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產(chǎn)品概況
產(chǎn)品特點
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ME2307一般說明：
ME2307是P通道邏輯增強模式功率場效應晶體管，采用高單元密度的DMOS溝槽技術。 這種高密度工藝特別適合于最小化通態(tài)電阻。 這些設備特別適合低壓應用，例如：作為手機和筆記本計算機的電源管理以及其他電池供電的電路，在非常小巧的表面貼裝封裝中，需要較低的在線功率損耗。
ME2307應用領域：
●筆記本中的電源管理
●便攜式設備
●電池供電系統(tǒng)
●負荷開關
●DSC
GENERAL DESCRIPTION
The ME2307 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits
where low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
APPLICATIONS
● Power Management in Note book
● Portable Equipment
● Battery Powered System
● Load Switch
● DSC
ME2307特征：
●RDS（ON）≦70mΩ@ VGS = -10V
●RDS（ON）≦95mΩ@VGS=-4.5V
●超高密度電池設計，可實現(xiàn)極低的RDS（ON）
FEATURES
● RDS(ON) ≦70m?@VGS=-10V
● RDS(ON) ≦95m?@VGS=-4.5V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
標簽：
