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臺(tái)灣松木N溝道ME2306D/G 低壓mos管

原廠包裝/正品保證/量大價(jià)優(yōu)/售后無(wú)憂

產(chǎn)品名稱：臺(tái)灣松木N溝道 30V(D-S)MOSFET，ESD保護(hù)

產(chǎn)品型號(hào)：ME2306D/ME2306D-G

代理品牌：臺(tái)灣松木

產(chǎn)品封裝：SOT-23

交期時(shí)間：現(xiàn)貨一般當(dāng)天交貨，具體需電話詳情.

發(fā)貨貨倉(cāng)：深圳/香港

熱門標(biāo)簽：P溝道ME2306D，松木ME2306D-G，松木mos

咨詢熱線：0755-83322522 在線咨詢

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ME2306D一般說(shuō)明

ME2306D 是 N 溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用高單元密度、DMOS 溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別適用于最大限度地減少導(dǎo)通電阻。這些器件特別適用于低電壓應(yīng)用，例如蜂窩電話和筆記本電腦電源管理以及其他需要高側(cè)開關(guān)和低在線功率損耗的電池供電電路，這些電路采用非常小的外形表面貼裝封裝。

ME2306D應(yīng)用

● 筆記本電源管理

● 便攜設(shè)備

● 負(fù)載開關(guān)

GENERAL DESCRIPTION

The ME2306D is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching , and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

APPLICATIONS

● Power Management in Note book

● Portable Equipment

● Load Switch

特征

● RDS(ON)≦31mΩ@VGS=10V

● RDS(ON)≦52mΩ@VGS=4.5V

● ESD 保護(hù)

● 超高密度電池設(shè)計(jì)，RDS(ON) 極低

● 出色的導(dǎo)通電阻和最大直流電流能力

FEATURES

● RDS(ON)≦31m?@VGS=10V