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捷捷微電發(fā)布先進(jìn)PowerJE?10x12封裝及國內(nèi)領(lǐng)先SGT MOSFET，通過一千次溫度循環(huán)可靠性測試
2022年1月26日，捷捷微電自主研發(fā)的高功率薄型封裝PowerJE?10x12已進(jìn)入規(guī)?；慨a(chǎn)。此封裝符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)MO-299B，同時(shí)兼容國際大廠如Infineon及Onsemi的同類TO-LeadLess封裝，并通過嚴(yán)苛的一千次溫度循環(huán)(-55℃~150℃)可靠性測試。相比傳統(tǒng)的TO-263-3L封裝，面積少了20%、高度降低了45%。在大幅度減少占用空間的同時(shí)，有效的提高功率密度，適合極為緊湊的終端設(shè)計(jì)。熱阻表現(xiàn)優(yōu)越而至散熱效果更好，進(jìn)一步保證器件的長期可靠性。
因應(yīng)客戶對性能及BOM(billofmaterial)空間的需求日漸提升，捷捷微電同時(shí)推出N溝道含自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)JSFET?系列的JMSH1001ATL(VDS_Max=100V)和JMSH1504ATL(VDS_Max=150V)，兩者均采用先進(jìn)PowerJE?10x12封裝。在VGS＝10V條件下,器件的RDS(ON)_Typ及FOM測量值分別是1.3mΩ/202(JMSH1001ATL)及3.3mΩ/290(JMSH1504ATL)。其中JMSH1001ATL的電氣特性，更為國內(nèi)領(lǐng)先水平、與歐美日同類產(chǎn)品不遑多讓。此外，一流的線性模式/安全工作區(qū)(SOA)特性，使器件在大電流的工作狀態(tài)下，仍能實(shí)現(xiàn)安全可靠的運(yùn)作。極低的導(dǎo)通電阻有助于提高運(yùn)行效能，降低系統(tǒng)成本，并延長器件的使用壽命。這兩款產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車輛、光伏儲(chǔ)能逆變器、5G通信及PoE++等終端。
捷捷微電功率分立器件市場總監(jiān)樊君說：“JMSH1001ATL結(jié)合捷捷微電研發(fā)團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)的芯片、由通過IATF16949認(rèn)證的晶圓廠制造、再經(jīng)捷捷微電車規(guī)級(jí)先進(jìn)封裝產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)PowerJE?10x12組裝測試，電器特性比肩國際一線半導(dǎo)體IDM大廠，有效實(shí)現(xiàn)了同類產(chǎn)品的國產(chǎn)化高端突破。該器件不僅具有超優(yōu)的熱導(dǎo)性能、低封裝寄生電感效應(yīng)，且可處理高達(dá)375A的電流，特別適用于那些在BOM(BillofMaterial)空間、電氣性能和器件長期可靠性皆同樣有高需求的應(yīng)用?！?/p>
