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日清紡微電子:從9月26日開始提供5G基站※1高隔離度的SPDT開關“NT1819”樣品
日清紡微電子從9月26日開始提供最適合5G基站使用且具有業(yè)界領先水平※1高隔離度的SPDT開關“NT1819”樣品。
為了實現(xiàn)智能社會，已經(jīng)啟動了5G服務。這樣，高速、低延遲、大容量的數(shù)據(jù)通信成為可能，也給我們的生活和工業(yè)發(fā)展帶來了巨大的變化。
在5G基站有很多天線，每個天線都能發(fā)射強無線電波。為了防止無線電波的相互干擾，發(fā)射信號放大器的失真補償電路需要具有非常高的隔離度和Off端子50Ω終端功能的開關。
“NT1819”擁有長年積累的射頻器件技術，在5G使用的sub-6頻段實現(xiàn)了60dB以上的高隔離度，可以減少相鄰器件之間的干擾。此外，內(nèi)置 50Ω 終端功能，可防止阻抗不匹配。這些特性和功能增強了5G通信網(wǎng)絡的穩(wěn)定性，用途廣泛。
※1 日清紡微電子于2024年9月26日調(diào)查的結果
| 產(chǎn)品名 | NT1819NAAE2S |
| 樣品價格 (100個起購參考價格／含稅※) | 550日元 |
| 樣品訂購開始日 | 2024年9月26日 |
| 月產(chǎn)量 | 100萬個 |
※價格基于2024年9月的消費稅率
產(chǎn)品特點
1. 高隔離度
具有60dB以上的高隔離度，非常適合在 5G 基站聚合 DPD※2 信號。
面向5G基站的RFIC的DPD端子數(shù)量有限，因此需要使用開關來聚合信號。為了防止受到相鄰模塊的影響而導致失真特性劣化，在PC-P1/P2之間以及在P1-P2之間都實現(xiàn)了高隔離度。
※2 數(shù)字預失真補償(Digital Pre-Distortion)
2. 內(nèi)置吸収式50Ω終端
采用50Ω吸收式終端，在開關on/off的任一狀態(tài)下阻抗始終保持在50Ω，因此有助于電路穩(wěn)定工作。
3. 最大支持7.125GHz
除了5G的主要頻帶3.3～5.0GHz（n77，n78，n79）之外，還正在考慮追加6.425～7.125GHz（n104）頻帶。另外，5.9~7.125GHz頻帶在WiFi和美國的Unlicensed頻帶通信中也被使用。
本產(chǎn)品最大支持頻率7.125GHz，因此可用于N104 頻段等高頻段的通信方式。
應用示例：5G基站的 RF電路框圖和端口之間隔離度
產(chǎn)品圖片
封裝:QFN3030-16-NA
主要性能指標（詳情請參閱產(chǎn)品數(shù)據(jù)表）
| 項目 | NT1819NAAE2S |
| 封裝 | 3.0 x 3.0 x 0.75 mm |
| 電源電壓 | 2.5 V to 5.0 V (3.3 V typ.) |
| 工作電流(消耗電流) | 200 μA Typ. |
| 支持頻率 | 0.2 GHz to 7.125 GHz |
| 插入損耗 | 0.70/0.80/0.85/0.90/1.20 dB typ. @ 0.7/3.85/4.7/6.0/7.125 GHz |
| 隔離度 | 70/62/60/55/51 dB typ. (PC-P1/P2) 70/61/60/58/55 dB typ. (P1-P2) @ 0.7/3.85/4.7/6.0/7.125 GHz |
| P-0.1dB | +31 dBm typ. @ 0.7 to 7.125 GHz |
| 切換時間 | 250 ns typ. |
| 工作溫度范圍 | -40 to +105°C |
